特許

J-GLOBAL ID：200903000535140656

半導体の表面処理方法

発明者： 高木 幹夫
出願人/特許権者： 株式会社エフティーエル
代理人 (1件)： 村井 卓雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-090884
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284307
出願日： 2000年03月29日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置のコンタクトホール内に存在する自然酸化膜をマイクロ波励起された反応ガスで除去する方法においてスループットを増大する。【解決手段】 323K以下に保たれかつ縦方向に配列された複数枚の半導体シリコンウェーハ10を回転させつつ、反応ガスを、反応室20に沿って縦方向に延在しかつ内部圧力が反応室20内圧力より高いチャンバー5、22を介して反応室20内に実質的に水平方向にて導入し、その後半導体ウェーハ10を373K以上に加熱30する。

請求項（抜粋）：

コンタクトホール内に自然酸化膜、スカムなどが存在する半導体シリコンウェーハを配置した反応室内にて、マイクロ波により励起された水素、アンモニア、及び窒素から選択された少なくとも1種の第1のガスと、炭素及び酸素を含まず、フッ素を含有する化合物からなる第2のガスとの反応生成物で半導体表面を処理する方法において、323K以下に保たれかつ縦方向に配列された複数枚の半導体シリコンウェーハを回転させつつ、前記反応生成物を、反応室に沿って縦方向に延在しかつ内部圧力が反応室内圧力より高いチャンバーを介して反応室内に実質的に水平方向にて導入し、その後前記半導体シリコンウェーハを373K以上に加熱することを特徴とする半導体の表面処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 645 ,  H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/304 645 D ,  H01L 21/302 H

Fターム (12件)：

5F004AA14 ,  5F004BA03 ,  5F004BB14 ,  5F004BB19 ,  5F004BB25 ,  5F004BB27 ,  5F004CA04 ,  5F004DA17 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DB03 ,  5F004EB01