特許

J-GLOBAL ID：200903000538025424

半導体装置及びその製造方法

発明者： 青山 将茂
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-267191
公開番号（公開出願番号）：特開平11-111979
出願日： 1997年09月30日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：

【要約】【課題】 微細化しても短チャネル効果を抑制しつつ高速に駆動させることが可能な半導体装置を得る。【解決手段】 ソース領域12及びドレイン領域13がゲート電極7に向かい屈曲し、一部が突出している構造であるため、ゲート電極7に面するソース領域12及びドレイン領域13の面積が小さく、ゲート電極7とソース領域12及びドレイン領域13との間の寄生容量を低減でき、前記突起部の不純物濃度が低いため、突起部周辺に空間電荷領域が広く形成されないため、短チャネル効果が防止できる。

請求項（抜粋）：

第1の導電型の半導体基板と、該半導体基板上に所定間隔隔てて形成された第2の導電型のソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域の間に形成されたチャネル領域と、該チャネル領域の上方に絶縁膜を隔てて形成されたゲート電極とを備え、前記ソース領域及び前記ドレイン領域のチャネル領域に隣接する端部は前記ゲート電極に向かい屈曲し、かつ前記ゲート電極に向かって突出した突起部を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/41 ,  H01L 21/336

FI (6件)：

H01L 29/78 301 H ,  H01L 21/28 301 T ,  H01L 21/265 604 V ,  H01L 29/44 Z ,  H01L 29/78 301 P ,  H01L 29/78 301 G