特許
J-GLOBAL ID：200903000539121354
半導体発光装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-017990
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218585
出願日： 1992年02月04日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】【目的】 埋込み構造のメサストライプ型半導体発光装置に関し,埋込み層から活性層への不純物拡散を防止し,発光効率を高めしきい値電流を低減することを目的とする。【構成】 第一導電型の基板1上に順次堆積された第一導電型の下側クラッド層2,活性層3及び第二導電型の上側クラッド層4をストライプ状に成形したメサ5と,メサ5の外側を埋め込む第二導電型の埋込み層7と,メサ5上に堆積される第二導電型のコンタクト層9と,基板1の裏面及びコンタクト層9の表面に形成される電極10,11とを有してなる半導体発光装置において,メサ5の側壁と埋込み層7との間に,n型導電型の又は不純物を含まない半導体の何れかからなり,下側クラッド層2又は上側クラッド層4の一つと同一の又は大きな禁制帯幅を有する拡散障壁層6を設けたことを特徴として構成する
請求項（抜粋）：
第一導電型の半導体基板(1)表面上に順次堆積された第一導電型の下側クラッド層(2),活性層(3),及び第二導電型の上側クラッド層(4)からなるIII-V 族化合物半導体堆積層をストライプ状に成形したメサ(5)と,該メサ(5)の頂部表面を残して該メサ(5)の外側を埋め込むp型の埋込み層(7)と,該メサ(5)の頂部表面に接して堆積される第二導電型のコンタクト層(9)と,該基板(1)の裏面に形成される裏面電極(10)と,該コンタクト層(9)の表面に形成される表面電極(11)とを有してなる半導体発光装置において,該メサ(5)の側壁と該埋込み層(7)との間に,n型半導体或いは実質的に不純物を含有しない半導体のうちの何れかの半導体からなり,該下側クラッド層(2)及び上側クラッド層(4)の何れか一つと実質的に同一の又はより大きな禁制帯幅を有する拡散障壁層(6)を設けたことを特徴とする半導体発光装置。
IPC (2件)：
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