特許

J-GLOBAL ID：200903000542429041

単結晶インゴット製造装置及び方法

発明者： 森本 茂夫 ,  門田 浩 ,  海老 大輔 ,  琴岡 敏朗
出願人/特許権者： コマツ電子金属株式会社 ,  株式会社小松製作所
代理人 (1件)： 正林 真之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-016343
公開番号（公開出願番号）：特開2000-344592
出願日： 2000年01月25日
公開日（公表日）： 2000年12月12日
要約：

【要約】【課題】 冷却水が流通している配管系によって冷却を行うクーラーを備える単結晶インゴット製造装置において、漏水による装置故障を低減させる改良をなし、同時に、生産効率の最大化を達成するための条件追及をする。【解決手段】 冷却水が流通している配管系によって冷却を行うクーラー19を備える単結晶インゴット製造装置において、熱遮蔽体18の内側の一部分に配置すると共に、冷却配管の下端19aがシリコン融液液面12aから150mm以下の位置に位置するように設定する。

請求項（抜粋）：

るつぼ内の原料融液から単結晶インゴットを炉内で引き上げるチョクラルスキー法(以下、CZ法)単結晶インゴット製造装置であって、引き上げ中の単結晶インゴット(以下、単結晶引き上げインゴット)を囲繞して融液液面からの輻射熱を遮蔽する熱遮蔽体と、この熱遮蔽体の内側に配置され、前記単結晶引き上げインゴットの所定の個所の冷却を行うクーラーと、を炉内に備えるCZ法単結晶インゴット製造装置において、前記クーラーは、冷却水が流通する冷却配管からなり、かつ、前記熱遮蔽体の内側の一部分に配置されていることを特徴とするCZ法単結晶インゴット製造装置。

IPC (2件)：

C30B 15/00 ,  C30B 29/06 502

FI (2件)：

C30B 15/00 Z ,  C30B 29/06 502 E

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 単結晶製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-037082   出願人：ワッカー・ジルトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・ハルブライターマテリアリエン・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング
• 特開平4-317491
  
• 特開昭58-217493