強磁性トンネル接合素子、強磁性トンネル接合素子の製造方法、磁気ヘッド、磁気記憶装置、及び磁気メモリ装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：横山淳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-269422
公開番号（公開出願番号）：特開2009-099741
出願日： 2007年10月16日
公開日（公表日）： 2009年05月07日
要約：

【課題】磁気抵抗変化率が高く、且つ外部磁場に対して自由磁化層の磁化が変化しやすい強磁性トンネル接合素子を提供する。【解決手段】少なくとも一部の磁化方向が固定された固定磁化層と、前記固定磁化層の上に配置され、トンネル現象により電子が透過可能なエネルギー障壁を有する絶縁層と、前記絶縁層の上に配置され、外部磁場の影響を受けて磁化方向が変化し、ホウ素原子を含有する第1の強磁性材料からなる第1の自由磁化層と、前記第1の自由磁化層の上に配置され、外部磁場の影響を受けて磁化方向が変化するとともに前記第1の自由磁化層と交換結合をし、ホウ素原子を含有する第2の強磁性材料からなる第2の自由磁化層とを有することを特徴とする強磁性トンネル接合素子。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

少なくとも一部の磁化方向が固定された固定磁化層と、前記固定磁化層の上に配置され、トンネル現象により電子が透過可能なエネルギー障壁を有する絶縁層と、前記絶縁層の上に配置され、外部磁場の影響を受けて磁化方向が変化し、ホウ素原子を含有する第1の強磁性材料からなる第1の自由磁化層と、前記第1の自由磁化層の上に配置され、外部磁場の影響を受けて磁化方向が変化するとともに前記第1の自由磁化層と交換結合をし、ホウ素原子を含有する第2の強磁性材料からなる第2の自由磁化層とを有することを特徴とする強磁性トンネル接合素子。

IPC (6件)：

H01L 43/08 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , G11B 5/39 , H01F 10/16 , H01F 10/32

FI (6件)：

H01L43/08 M , H01L43/08 Z , H01L27/10 447 , G11B5/39 , H01F10/16 , H01F10/32

Fターム (64件)：

4M119AA03 , 4M119AA17 , 4M119BB01 , 4M119CC02 , 4M119DD05 , 4M119DD06 , 4M119DD07 , 4M119DD08 , 4M119DD09 , 4M119DD24 , 4M119DD33 , 4M119DD45 , 4M119EE03 , 4M119EE22 , 4M119EE29 , 4M119FF05 , 4M119FF06 , 4M119FF15 , 4M119FF17 , 5D034BA03 , 5D034BA05 , 5D034CA06 , 5D034DA07 , 5E049AA04 , 5E049AC05 , 5E049BA25 , 5F092AA01 , 5F092AA02 , 5F092AB03 , 5F092AB08 , 5F092AC12 , 5F092BB03 , 5F092BB04 , 5F092BB05 , 5F092BB09 , 5F092BB10 , 5F092BB17 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB33 , 5F092BB34 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB42 , 5F092BB43 , 5F092BB53 , 5F092BB55 , 5F092BB59 , 5F092BB66 , 5F092BB81 , 5F092BB82 , 5F092BC04 , 5F092BC07 , 5F092BC13 , 5F092BC18 , 5F092BC22 , 5F092BC42 , 5F092BE02 , 5F092BE06 , 5F092BE13 , 5F092BE21 , 5F092BE24 , 5F092BE25 , 5F092CA26

引用特許：

出願人引用 (1件)

特許第2871670号公報

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