特許
J-GLOBAL ID：200903000544188211
静電型マイクロリレーの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西田 新
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-169149
公開番号（公開出願番号）：特開平6-012963
出願日： 1992年06月26日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：
【要約】【目的】 可動接点部を高精度でかつ再現性よく作製することができ、しかも回路集積等が可能な静電型マイクロリレーを製造する方法を提供する。【構成】 200keV以上の高エネルギイオン注入法を採用して、単結晶Si基板に、ドーパントを、エッチングスピードが桁違いに遅くなる条件まで導入した後、このSi基板を所定パターンのマスク材で覆った状態でエッチングを行うことによって、リレーの可動接点部を形成する。
請求項（抜粋）：
可動電極部をSi基板に形成するとともに、その駆動用の電極を製作することによって静電型マイクロリレーを得る方法であって、200keV以上の高エネルギイオン注入法を採用して、単結晶Si基板の所定領域にドーパントを、エッチングスピードが桁違いに遅くなる条件まで導入した後、このSi基板を所定パターンのマスク材で覆った状態で、エッチングを行うことによって上記可動電極部を形成することを特徴とする静電型マイクロリレーの製造方法。
IPC (2件)：
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