特許
J-GLOBAL ID：200903000554863820
レーザーモジュール温度制御回路
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八幡 義博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-271753
公開番号（公開出願番号）：特開平9-092923
出願日： 1995年09月26日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：
【要約】【課題】 ペルチェ素子を利用したレーザー発光素子の温度制御を行うレーザモジュール温度制御回路の構成簡素化と電源起動時のペルチェ素子の破損回避並びにレーザーモジュール使用装置の小型・低電圧化。【解決手段】 レーザーモジュール2内蔵のペルチェ素子21は2の内蔵レーザー発光素子と接合している。サーミスタ22は2の内部温度変化を抵抗変化として検知する。オペアンプ(1)11は低電圧の単極性電源電圧VCCをR2とR3で分圧した基準電圧を+端子に入力しこれをR4,R5で決定する利得のオペアンプ(2)12の-端子に供給する。オペアンプ(2)12の+端子にはVCCを基準抵抗R1とサーミスタ22の抵抗Rthで分圧した電圧が印加されオペアンプ(2)12の出力とオペアンプ(1)11の出力はそれぞれペルチェ素子21に印加されてこれを電圧制御の下に温度制御する。オペアンプ(1)11の出力する基準電圧はオペアンプ(2)12の出力電圧の中心値として設定される一種の仮想的グランド電位でありこのような動作によってVCCの単極性電源化が図れ小型化が実現できる。
請求項（抜粋）：
レーザー発光素子を収容したレーザーモジュールに内蔵してレーザー発光素子と接合されたペルチェ素子に対する電圧制御に基づいてレーザー発光素子の運用温度を所定の範囲に制御するレーザーモジュール温度制御回路であって、レーザーモジュール内部に配置しレーザーモジュール内部の温度に対応した抵抗値を示すサーミスタと、正負いずれかの単極性電源電圧VCCを抵抗分圧して0Vと単極性電源電圧VCCとの間で任意に設定する電圧を前記ペルチェ素子の電圧制御における基準電圧として+端子に入力し、出力と接続した-端子から仮想グランド電圧を出力して前記ペルチェ素子の-端子に印加する一定の仮想グランド電圧供給源のボルテージフォロアーとしての第1のオペアンプと、前記単極性電源電圧VCCを前記サーミスタの温度依存性を有する抵抗値と前記レーザー発光素子の運用温度に基づいて予め設定する所定の基準抵抗とによって分圧した電圧を+端子に入力し前記第1のオペアンプの出力する前記仮想グランド電圧を-端子に入力してこれら+および-端子入力を比較しつつ出力電圧を前記ペルチェ素子の+端子に印加し前記サーミスタの環境温度による抵抗値変化に対応した前記+および-端子入力の差を常時零とするように動作する差動増幅器としての第2のオペアンプとを備えて前記ペルチェ素子の温度制御を介して前記レーザー発光素子の温度制御を行うことを特徴とするレーザーモジュール温度制御回路。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S 3/133
, H01L 35/28 C
