特許

J-GLOBAL ID：200903000555486460

ダイアフラム構造用熱絶縁膜およびその製造方法

発明者： 石田 拓郎 ,  阪井 淳 ,  相澤 浩一 ,  粟井 崇善 ,  柿手 啓治
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 松本 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-038107
公開番号（公開出願番号）：特開平5-231926
出願日： 1992年02月25日
公開日（公表日）： 1993年09月07日
要約：

【要約】【目的】 赤外線検出素子などに利用され、薄膜の一部が基板で支持されずに浮いた状態になるダイアフラム構造において、前記薄膜として用いられる熱絶縁膜であって、残留応力が少ないとともに、熱絶縁性にも優れ、しかも、製造も容易であって、ダイアフラム構造に用いるのに適した熱絶縁膜を提供する。【構成】 ダイアフラム構造に用いられ、SiOx (x=0.6〜1.0)層20やSiO2 層30のように、シリコンと酸素の組成比が異なる酸化シリコンの多層膜からなる熱絶縁膜2。

請求項（抜粋）：

薄膜の一部が基板で支持されずに浮いた状態になるダイアフラム構造において前記薄膜として用いられる熱絶縁膜であって、シリコンと酸素の組成比が異なる酸化シリコンの多層膜からなることを特徴とするダイアフラム構造用熱絶縁膜。

IPC (3件)：

G01J 1/02 ,  G01J 5/02 ,  H01L 49/00