特許
J-GLOBAL ID：200903000557077486
高配向性ダイヤモンド薄膜形成方法及び装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-261743
公開番号（公開出願番号）：特開平7-089794
出願日： 1993年09月24日
公開日（公表日）： 1995年04月04日
要約：
【要約】【目的】 イオンによる基板の損傷を回避し、結晶性が良く、高品質な高配向性ダイヤモンド薄膜を形成することができる高配向性ダイヤモンド薄膜形成方法及び装置を提供する。【構成】 マイクロ波化学気相蒸着法によりダイヤモンド薄膜を合成する工程における当初の所定期間、基板2及び基板と対向電極3との間に設置された格子状電極1に、夫々基板用直流電源5及び格子状電極用直流電源6により独立してバイアスを印加する。これにより、ダイヤモンド薄膜を基板に対して一定方向に配向させる。
請求項（抜粋）：
マイクロ波化学気相蒸着法によりダイヤモンド薄膜を合成する工程の初期の所定期間、基板及び基板と対向電極との間に設置された格子状電極に夫々独立してバイアスを印加することにより、前記ダイヤモンド薄膜を基板に対して一定方向に配向させることを特徴とする高配向性ダイヤモンド薄膜形成方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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