特許
J-GLOBAL ID：200903000559872437
タンデムヘテロ光電変換素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-145397
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343712
出願日： 1992年06月05日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：
【要約】【構成】III-V族化合物半導体基板上に側面が傾斜している溝を形成し、この上にアンドープAlAs層を形成し、さらに高ドープp型GaAs層5、n型GaAs層6をエピタキシャル成長させ、第1の光電変換層とする。高ドープn型GaAs層7、高ドープn型Si層8を形成した後、p型Si層9、高ドープp型Si層10エピタキシャル成長させ、第2の光電変換層とする。アンドープAlAs層を選択的に除去し、積層部分と基板とを分離し、表面に溝が設けられたタンデムヘテロ光電変換素子とする。【効果】最初にエピタキシャル成長させた高ドープp型GaAs層5の部分が表面になるため、溝が平坦化されず、入射光の反射抑制効果が大きい。
請求項（抜粋）：
側面が傾斜している溝を有するIII-V族化合物半導体基板上に、第1の半導体層を形成する工程、該第1の半導体層の上に第2の半導体のpn接合からなる第1の光電変換層をエピタキシャル成長させる工程、該第1の光電変換層の上に第3の半導体のpn接合からなる第2の光電変換層をエピタキシャル成長させる工程及び該第1の半導体層を選択的に除去し、該第1及び第2の光電変換層と基板とを分離する工程を少なくとも有し、表面に溝が設けられた光電変換素子を製造することを特徴とするタンデムヘテロ光電変換素子の製造方法。
引用特許：
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