特許

J-GLOBAL ID：200903000562546729

イオンプレーティング装置

発明者： 根橋 清
出願人/特許権者： 石川島播磨重工業株式会社
代理人 (1件)： 堀田 実 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-257090
公開番号（公開出願番号）：特開平6-108237
出願日： 1992年09月28日
公開日（公表日）： 1994年04月19日
要約：

【要約】【目的】 対向電極の表面に絶縁膜が成膜されにくく、長時間にわたって安定してプラズマ内の電子を呼び寄せることができ、長時間にわたり安定して良質な絶縁膜を基板上に成膜することができるイオンプレーティング装置を提供する。【構成】 真空チャンバー1内で膜材料6を溶解・蒸発させて基板8に向かう蒸発流7を形成し、真空チャンバー1内に反応ガス21を導入し、プラズマ銃14により蒸発流と交差するプラズマ15を発生させ、対向電極16によりプラズマ内の電子を呼び寄せて蒸発流及び反応ガスを正にイオン化し、イオン化した蒸発流及び反応ガスを負に印加した基板8に衝突・凝固させて基板上に絶縁膜を成膜するイオンプレーティング装置において、対向電極の電極面を10-3torr以上の不活性ガス22で覆うガス膜装置30を備える。

請求項（抜粋）：

真空チャンバー内で膜材料を溶解・蒸発させて基板に向かう蒸発流を形成し、真空チャンバー内に反応ガスを導入し、プラズマ銃により前記蒸発流と交差するプラズマを発生させ、対向電極により前記プラズマ内の電子を呼び寄せて前記蒸発流及び前記反応ガスを正にイオン化し、イオン化した蒸発流及び反応ガスを負に印加した基板に衝突・凝固させて基板上に絶縁膜を成膜するイオンプレーティング装置において、前記対向電極の電極面で10-3torr以上の圧力となるように前記電極面を不活性ガスで覆うガス膜装置を備える、ことを特徴とするイオンプレーティング装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-050464
  
• 特開平4-124263
  
• 特開平1-096372