特許
J-GLOBAL ID：200903000565736081
半導体式加速度センサの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
五十嵐 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-084082
公開番号（公開出願番号）：特開平6-273441
出願日： 1993年03月17日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：
【要約】【目的】 取り扱い易く作業性の良い、かつ、歩留まりが良く低コストの半導体式加速度センサを提供する。【構成】 低抵抗のSi半導体基板10の裏面に、後で質量部1、固定部3a,3b、梁2、梁支持部5となる部位の周囲に沿って、凹部12を形成する。ベース基板9としてのガラス基板の表面に導体パターン6a,6b,6cを形成する。次に、Si半導体基板10の凹部12形成面の固定部3a,3bと梁支持部5となる部分を接合面として基板9と10とを接合一体化する。次に、Si半導体基板10表面から凹部12の底部13まで薄肉化加工し、固定部3a,3b、質量部1、梁2、梁支持部5を形成する。このように、Si半導体基板10が肉厚の状態でエッチング処理や接合処理が行われるのでこれらの処理が作業性良く行われ、基板9,10の損傷もなく、歩留まりが向上する。
請求項（抜粋）：
Si半導体基板を用いて、質量部と、この質量部の隣の固定部と、質量部に対して間隔を介して配置される梁支持部と、質量部を梁支持部に連結する梁とが形成され、基板に平行な方向の加速度による質量部の変位を質量部側と固定部側との容量変化によって検出する半導体式加速度センサの製造方法において、Si半導体基板面に後で質量部と固定部と梁支持部と梁になる部位の周りに沿って凹部を形成しておき、このSi半導体基板を前記凹部形成面側の固定部と梁支持部になる面を接合面としてベース基板の面に接合一体化し、然る後に、Si半導体基板を表面側から凹部の底部に達するまで薄肉化加工して固定部と質量部を分離し、ベース基板を固定台としてその上面に質量部と固定部と梁支持部と梁とを形成する半導体式加速度センサの製造方法。
引用特許：
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