特許

J-GLOBAL ID：200903000565907170

半導体素子およびその製造方法

発明者： 石原 伸一郎
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-253132
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091582
出願日： 1998年09月08日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：

【要約】【課題】 製造工程を簡略化することができ、液晶デバイスとしての開口率を大きくでき、かつ欠陥割合を低減することができる半導体素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 金属薄膜(第1のTi膜21、第1のAl膜22、第2のTi膜23(以上が第1の金属薄膜)、第3のTi膜30、第2のAl膜31、第4のTi膜32(以上が第2の金属薄膜))と、非晶質非金属薄膜(SiNxゲート絶縁膜24、a-Si半導体膜25、SiNx保護膜26(以上が第1の非晶質非金属薄膜)、n+a-Si膜29(第2の非晶質非金属薄膜))を構成要素として含む薄膜層を同一形状に微細加工し、かつ、同様の工程を繰り返して薄膜層を形成する。これにより、TFTを形成する工程を簡略化することができる。

請求項（抜粋）：

金属薄膜と非晶質非金属薄膜とを構成要素として持ち、上記構成要素が同一形状に微細加工されてなる薄膜層を2層以上有してなることを特徴とする半導体素子。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 617 L ,  H01L 29/78 627 A