ウェハから半導体ダイを分離する方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村稔 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-214138
公開番号（公開出願番号）：特開2003-086544
出願日： 2002年07月23日
公開日（公表日）： 2003年03月20日
要約：

【要約】【課題】汚染粒子の発生が無い、半導体ダイを製造して半導体ウェハからダイを分離する方法が開示される。さらに、ウェハの裏側から材料を除去し、そして半導体装置を表面に固着する方法が開示される。【解決手段】ウェハ(202)の上側(206)で個別のダイ領域(204)間に1つ又は複数のチャンネル(214)が食刻される。そして、個別のダイを分離するためにウェハの裏側(208)から材料が除去される。ウェハのダイの裏側から材料を除去する方法も開示される。エッチング・プロセスなどにより、ダイの裏に輪郭付けされた表面(280)が設けられる。半導体ウェハ及びダイは輪郭付けされた裏表面を有する。

請求項（抜粋）：

ウェハの対応するダイ領域内に複数の電気回路を有し、上側及び裏側を持つウェハからダイを分離する方法において、ウェハのダイ領域間に位置するチャンネルをウェハ内に上側から裏側へ向けて延びるようにエッチングし、ウェハのダイ領域の上側にキャリア・テープをマウントし、チャンネルが露出するまで、ウェハの裏側から材料を除去し、そしてダイを互いに分離する、ことを含む方法。

FI (2件)：

H01L 21/78 S , H01L 21/78 M

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平4-297056
特開平3-270156
特開平3-087027

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