特許
J-GLOBAL ID：200903000569030361
熱処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-087472
公開番号（公開出願番号）：特開平7-268627
出願日： 1994年03月31日
公開日（公表日）： 1995年10月17日
要約：
【要約】【目的】 被処理体例えば半導体ウエハに対して酸化処理、拡散処理などを行うにあたって、ウエハを急速に所定温度まで昇温させかつ安定した温度で熱処理を行い、これによりウエハに対して均一な熱処理を行うこと。【構成】 反応管1の上方に設けられた熱制御板3を加熱手段22により加熱し、反応管1の上部に高さ位置の変化に対して温度が実質的に均一な第1の加熱領域と、下方に向かうにつれて緩やかに温度が低くなる第2の加熱領域とを形成し、ウエハWを第1の加熱領域内まで急上昇させた後緩やかに第2の加熱領域内を降下させ、この間に熱処理が行われるようにする。
請求項（抜粋）：
反応管の一端側に、反応管の長さ方向の位置に対して温度が実質的に均一である第1の加熱領域と、この第1の加熱領域に連続し、反応管の他端側に向かうにつれて温度が緩やかに低くなる温度勾配をもった第2の加熱領域とを形成し、被処理体を、反応管の他端側から移動させて前記第1の加熱領域に位置させ、次いで前記第2の加熱領域内を緩やかに反応管の他端側に移動させながら熱処理することを特徴とする熱処理方法。
IPC (3件)：
C23C 14/50
, H01L 21/22 511
, H01L 21/324
