半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (11件)：前田弘 , 竹内宏 , 嶋田高久 , 竹内祐二 , 今江克実 , 藤田篤史 , 二宮克也 , 原田智雄 , 井関勝守 , 関啓 , 杉浦靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-039201
公開番号（公開出願番号）：特開2008-277753
出願日： 2008年02月20日
公開日（公表日）： 2008年11月13日
要約：

【課題】微細化プロセスにおいても、また、Nchトランジスタ及びPchトランジスタの両方を持つデバイスにおいても、欠陥等を発生させることなく、トランジスタのチャネル領域に対する応力制御を行うことを可能にする。【解決手段】Nchトランジスタの第1のゲート電極107及びPchトランジスタの第2のゲート電極108のそれぞれの構成材料として、互いに応力の大きさが異なる材料を用いている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1のゲート電極を有するNchトランジスタと、第2のゲート電極を有するPchトランジスタとを備え、前記第1のゲート電極及び前記第2のゲート電極のそれぞれの構成材料として、互いに応力の大きさが異なる材料を用いていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/823 , H01L 27/092 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 21/28 , H01L 29/78

FI (4件)：

H01L27/08 321D , H01L29/58 G , H01L21/28 301S , H01L29/78 301G

Fターム (90件)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB03 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB10 , 4M104BB13 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB19 , 4M104BB20 , 4M104BB21 , 4M104BB22 , 4M104BB23 , 4M104BB24 , 4M104BB25 , 4M104BB26 , 4M104BB27 , 4M104BB28 , 4M104BB36 , 4M104CC05 , 4M104DD04 , 4M104DD43 , 4M104DD65 , 4M104DD79 , 4M104DD84 , 4M104FF08 , 4M104FF14 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH14 , 5F048AA07 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BA10 , 5F048BB01 , 5F048BB04 , 5F048BB05 , 5F048BB08 , 5F048BB09 , 5F048BB10 , 5F048BB12 , 5F048BB14 , 5F048BC06 , 5F048BD01 , 5F048BE03 , 5F048BF06 , 5F048BF16 , 5F048BG13 , 5F048DA25 , 5F048DA27 , 5F048DA30 , 5F140AA00 , 5F140AA01 , 5F140AA39 , 5F140AB03 , 5F140AC28 , 5F140BA01 , 5F140BC06 , 5F140BE07 , 5F140BF01 , 5F140BF03 , 5F140BF04 , 5F140BF08 , 5F140BF11 , 5F140BF13 , 5F140BF15 , 5F140BF18 , 5F140BG10 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG28 , 5F140BG30 , 5F140BG34 , 5F140BG44 , 5F140BG45 , 5F140BH15 , 5F140BJ08 , 5F140BK02 , 5F140BK13 , 5F140BK20 , 5F140BK34 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CE07

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体装置の製造方法および半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-074662 出願人：ソニー株式会社
近接した応力ライナー膜を有する半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-218000 出願人：株式会社東芝

審査官引用 (8件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-329639 出願人：NECエレクトロニクス株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-274533 出願人：株式会社日立製作所
膜の内部応力制御方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-003214 出願人：日新電機株式会社

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