特許
J-GLOBAL ID:200903000569792040
半導体装置及びその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (11件):
前田 弘
, 竹内 宏
, 嶋田 高久
, 竹内 祐二
, 今江 克実
, 藤田 篤史
, 二宮 克也
, 原田 智雄
, 井関 勝守
, 関 啓
, 杉浦 靖也
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-039201
公開番号(公開出願番号):特開2008-277753
出願日: 2008年02月20日
公開日(公表日): 2008年11月13日
要約:
【課題】微細化プロセスにおいても、また、Nchトランジスタ及びPchトランジスタの両方を持つデバイスにおいても、欠陥等を発生させることなく、トランジスタのチャネル領域に対する応力制御を行うことを可能にする。【解決手段】Nchトランジスタの第1のゲート電極107及びPchトランジスタの第2のゲート電極108のそれぞれの構成材料として、互いに応力の大きさが異なる材料を用いている。【選択図】図1
請求項1:
第1のゲート電極を有するNchトランジスタと、第2のゲート電極を有するPchトランジスタとを備え、
前記第1のゲート電極及び前記第2のゲート電極のそれぞれの構成材料として、互いに応力の大きさが異なる材料を用いていることを特徴とする半導体装置。
IPC (6件):
H01L 21/823
, H01L 27/092
, H01L 29/423
, H01L 29/49
, H01L 21/28
, H01L 29/78
FI (4件):
H01L27/08 321D
, H01L29/58 G
, H01L21/28 301S
, H01L29/78 301G
Fターム (90件):
4M104AA01
, 4M104BB01
, 4M104BB02
, 4M104BB03
, 4M104BB04
, 4M104BB05
, 4M104BB06
, 4M104BB07
, 4M104BB10
, 4M104BB13
, 4M104BB16
, 4M104BB17
, 4M104BB18
, 4M104BB19
, 4M104BB20
, 4M104BB21
, 4M104BB22
, 4M104BB23
, 4M104BB24
, 4M104BB25
, 4M104BB26
, 4M104BB27
, 4M104BB28
, 4M104BB36
, 4M104CC05
, 4M104DD04
, 4M104DD43
, 4M104DD65
, 4M104DD79
, 4M104DD84
, 4M104FF08
, 4M104FF14
, 4M104GG09
, 4M104GG10
, 4M104GG14
, 4M104HH14
, 5F048AA07
, 5F048AC03
, 5F048BA01
, 5F048BA10
, 5F048BB01
, 5F048BB04
, 5F048BB05
, 5F048BB08
, 5F048BB09
, 5F048BB10
, 5F048BB12
, 5F048BB14
, 5F048BC06
, 5F048BD01
, 5F048BE03
, 5F048BF06
, 5F048BF16
, 5F048BG13
, 5F048DA25
, 5F048DA27
, 5F048DA30
, 5F140AA00
, 5F140AA01
, 5F140AA39
, 5F140AB03
, 5F140AC28
, 5F140BA01
, 5F140BC06
, 5F140BE07
, 5F140BF01
, 5F140BF03
, 5F140BF04
, 5F140BF08
, 5F140BF11
, 5F140BF13
, 5F140BF15
, 5F140BF18
, 5F140BG10
, 5F140BG12
, 5F140BG14
, 5F140BG28
, 5F140BG30
, 5F140BG34
, 5F140BG44
, 5F140BG45
, 5F140BH15
, 5F140BJ08
, 5F140BK02
, 5F140BK13
, 5F140BK20
, 5F140BK34
, 5F140CB04
, 5F140CB08
, 5F140CE07
引用特許:
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (8件)
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