特許

J-GLOBAL ID：200903000569948555

静電容量式センサ及びその製造方法

発明者： 山口 健
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岡本 宜喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-118505
公開番号（公開出願番号）：特開2000-310648
出願日： 1999年04月26日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
要約：

【要約】【課題】 対向電極間の静電容量の変化より外部情報を検出する静電容量式センサにおいて、真空封止ができるようにすること。【解決手段】 第1の基板40の中央に電極43、その電極43に連結する配線取出部45を形成する。第2の基板41についても同様に電極44と電極取出部46を形成する。第3の基板42は高導電性材料で構成し、中央の錘47を梁48で周辺より弾性的に支持する。これらを電極と錘47が微小ギャップを隔てて対向するように配置し、フリットガラスを溶融させてその内部を気密に構成する。

請求項（抜粋）：

中央部の電極及び前記電極からの配線取出部を同一面に形成した第1及び第2の基板と、基板の大きさが前記第1及び第2の基板より小さく、中央部の錘を周辺部より梁で弾性的に支持した導電性を有する第3の基板とを有し、前記第1,第2の基板の前記電極形成部及び前記第3の基板の前記錘,梁の少なくとも一方の厚みが前記周辺部より所定量薄い構造を有し、前記第3の基板の錘の両面に前記第1及び第2の基板の電極を対向して配置し、前記第1及び第2の基板の周辺部と前記第3の基板の周辺部を接合した時に前記第1及び第2の基板の配線取出部が前記接合面より外側に位置することを特徴とする静電容量式センサ。

IPC (3件)：

G01P 15/125 ,  G01P 15/08 ,  H01L 29/84

FI (3件)：

G01P 15/125 ,  G01P 15/08 P ,  H01L 29/84 Z

Fターム (12件)：

4M112AA02 ,  4M112BA07 ,  4M112CA24 ,  4M112CA33 ,  4M112CA35 ,  4M112DA08 ,  4M112DA09 ,  4M112DA18 ,  4M112DA20 ,  4M112EA02 ,  4M112FA20 ,  4M112GA01