特許
J-GLOBAL ID：200903000583763975

不揮発性記憶装置及びその製造方法

発明者：
福水 裕之

福水 裕之 について

, 
坊田 徳子

坊田 徳子 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-085563
公開番号（公開出願番号）：特開2009-239148
出願日： 2008年03月28日
公開日（公表日）： 2009年10月15日
要約：
【課題】製造工程中の熱履歴の影響による特性の差異を縮小し、安定した動作を実現した、記憶部が積層された不揮発性記憶装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板と、第1の方向に延在し、前記基板の上に設けられた第1の電極と、前記第1の方向と交差する第2の方向に延在し、前記第1の電極の上に設けられた第2の電極と、前記第2の方向と交差する第3の方向に延在し、前記第2の電極の上に設けられた第3の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に設けられ、第1の酸素組成比及び第1の層厚を有する第1の記憶部と、前記第2の電極と前記第3の電極との間に設けられ、前記第1の酸素組成比と異なる第2の酸素組成比及び前記第1の層厚と異なる第2の層厚の少なくともいずれかを有する第2の記憶部と、を備えたことを特徴とする不揮発性記憶装置が提供される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、 第1の方向に延在し、前記基板の上に設けられた第1の電極と、 前記第1の方向と交差する第2の方向に延在し、前記第1の電極の上に設けられた第2の電極と、 前記第2の方向と交差する第3の方向に延在し、前記第2の電極の上に設けられた第3の電極と、 前記第1の電極と前記第2の電極との間に設けられ、第1の酸素組成比及び第1の層厚を有する第1の記憶部と、 前記第2の電極と前記第3の電極との間に設けられ、前記第1の酸素組成比と異なる第2の酸素組成比及び前記第1の層厚と異なる第2の層厚の少なくともいずれかを有する第2の記憶部と、 を備えたことを特徴とする不揮発性記憶装置。
IPC (4件)：
H01L 27/10 ,  H01L 27/105 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00
FI (5件)：
H01L27/10 451 ,  H01L27/10 448 ,  H01L45/00 A ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z
Fターム (12件)：
5F083FZ10 ,  5F083GA10 ,  5F083GA11 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083JA60 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 不揮発性メモリ装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-001645   出願人：シャープ株式会社

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