特許

J-GLOBAL ID：200903000586424209

光電子集積回路の製造方法

発明者： 野村 剛彦
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-009667
公開番号（公開出願番号）：特開平9-205188
出願日： 1996年01月24日
公開日（公表日）： 1997年08月05日
要約：

【要約】【課題】 同一の半導体層を有する光素子と電子素子で構成され、光素子を構成する前記半導体層は、電子素子を構成する前記半導体層よりも層厚が厚くなっている光電子集積回路を容易に形成する製造方法を提供する。【解決手段】 同一の半導体層212、222を有する光素子210と電子素子220で構成され、光素子210を構成する前記半導体層212は、電子素子220を構成する前記半導体層222よりも層厚が厚くなっている光電子集積回路の製造方法において、半導体基板200上の一部に開口部を有する絶縁膜マスクを形成し、次いで、この基板上に有機金属気相成長(MOVPE) 法によって半導体薄膜を結晶成長し、前記絶縁膜マスクの開口部分に成膜された領域に光素子210を形成し、前記絶縁膜マスクのない部分に成膜された領域に電子素子220を形成する。

請求項（抜粋）：

同一の半導体層を有する光素子と電子素子で構成され、光素子を構成する前記半導体層は、電子素子を構成する前記半導体層よりも層厚が厚くなっている光電子集積回路の製造方法において、半導体基板上の一部に開口部を有する絶縁膜マスクを形成し、次いで、この基板上に有機金属気相成長(MOVPE) 法によって半導体薄膜を結晶成長し、前記絶縁膜マスクの開口部分に成膜された領域に光素子を形成し、前記絶縁膜マスクのない部分に成膜された領域に電子素子を形成することを特徴とする光電子集積回路の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/14 ,  H01L 21/8222 ,  H01L 27/06 ,  H01L 31/10

FI (3件)：

H01L 27/14 Z ,  H01L 27/06 101 D ,  H01L 31/10 A