特許

J-GLOBAL ID：200903000591244871

ウェーハ面取り部の加工方法及び加工装置

発明者： 長谷川 文彦 ,  黒田 泰嘉 ,  山田 正幸
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 荒船 良男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-256858
公開番号（公開出願番号）：特開平10-100050
出願日： 1996年09月27日
公開日（公表日）： 1998年04月21日
要約：

【要約】【課題】 研磨時間の短縮が図れると共に、半導体集積回路の高集積化に適したウェーハ面取り部の加工方法および加工装置を提供する。【解決手段】 円筒状あるいは円柱状の砥石と、面取り部がオリフラ部、外周部及び角部で構成されたウェーハとを互いに回転させながら所定の押付カで押接させ、軟研削位置がオリフラ部、外周部、角部かに応じて前記ウェーハの回転速度を変えつつ、前記ウェーハのオリフラ部、外周部及び角部をそれぞれ軟研削するようにした後に、前記ウェーハのオリフラ部、外周部及び角部をそれぞれ研磨するようにした。

請求項（抜粋）：

円筒状あるいは円柱状の砥石と、面取り部がオリフラ部、外周部及び角部で構成されたウェーハとを互いに回転させながら所定の押付カで押接させ、軟研削位置がオリフラ部、外周部、角部かに応じて前記ウェーハの回転速度を変えつつ、前記ウェーハのオリフラ部、外周部及び角部をそれぞれ軟研削するようにした後に、前記ウェーハのオリフラ部、外周部及び角部をそれぞれ研磨するようにしたことを特徴とするウェーハ面取り部の加工方法。