特許
J-GLOBAL ID：200903000592990038
表面処理装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田辺 恵基
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-339968
公開番号（公開出願番号）：特開平7-161647
出願日： 1993年12月07日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】本発明は、表面処理装置において、プラズマによつて表面を処理する際に被処理対象の表面をぼほ全面に亘つてバランス良く均一に処理し得るようにする。【構成】発散磁界によつて被処理対象9に照射されるプラズマ4A、5Aの通路を被処理対象9の付近で囲むようにほぼ円管形状の電極22を配し、この電極22にバイアス電圧Eを印加して電気的な作用力をプラズマ4A、5A中のイオンに与えることによつて被処理対象9に対するイオンの入射角度を制御する。あるいはプラズマ4A、5Aが進行する方向に対して所定の角度θだけ傾斜した軸を中心として被処理対象9の載置手段8を回転させる。
請求項（抜粋）：
プラズマを発生させるプラズマ発生室と、被処理対象を収納する反応室とを有し、上記プラズマを発散磁界によつて上記被処理対象に照射することによつて上記被処理対象の表面を処理する表面処理装置において、ほぼ円管形状でなり、上記被処理対象に照射される上記プラズマの通路を上記被処理対象の付近で囲む電極を具え、上記電極に所定のバイアス電圧を印加して、上記電極によつて囲まれた上記通路を通過する上記プラズマのイオンに上記バイアス電圧による電気的な作用力を与えることによつて上記被処理対象に対する上記イオンの入射角度を制御することを特徴とする表面処理装置。
IPC (2件)：
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