特許

J-GLOBAL ID：200903000594228923

薄膜デバイスおよびその製造方法

発明者： 折付 良二 ,  山本 英明 ,  松丸 治男 ,  堀井 寿一 ,  香西 甲矢夫 ,  高畠 勝 ,  鈴木 隆 ,  三村 秋男
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-144135
公開番号（公開出願番号）：特開平5-333378
出願日： 1992年06月04日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：

【要約】【目的】 製造コストを安価にする。【構成】 窒化シリコン膜上にレジストを形成し、絶縁膜GIの透明画素電極ITO1を形成すべき位置に穴部HOPを設け、レジスト上に透明導電膜を設けたのち、レジストを除去することにより、穴部HOPに透明画素電極ITO1を形成する。

請求項（抜粋）：

薄膜トランジスタと画素電極とを画素の一構成要素とする薄膜デバイスにおいて、ゲート絶縁膜として使用される絶縁膜に穴部を設け、上記穴部に上記画素電極を形成したことを特徴とする薄膜デバイス。

IPC (5件)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/133 550 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/784