特許
J-GLOBAL ID：200903000597152430
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-220816
公開番号（公開出願番号）：特開平5-063202
出願日： 1991年09月02日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：
【要約】【目的】絶縁ゲート型半導体装置のように主電極の一部のボンディングパッド部に導線が接続される半導体装置での負荷短絡時のボンディングパッド部への電流集中を防いで耐量を向上させる。【構成】ボンディングパッド部に近接した領域では離れた領域に比して定常電流密度を小さくすることにより短絡時の電流密度も小さくし、電流集中を防ぐ。そのためには、IGBTではパッド部近くの単位素子のチャネル形成領域の不純物濃度を高くしてしきい値電圧を高める方法、パッド部から離れた単位素子のみ蓄積層の不純物濃度を高くして接合FET効果を弱める方法、あるいはパッド部近くでの主電極の接触抵抗を高くする方法などがある。
請求項（抜粋）：
一つの半導体基体の一主面上に形成された主電極のボンディングパッド部に接続導線がボンディングされるものにおいて、定常電流密度がボンディングパッド部に近接した半導体基体の領域においてボンディングパッド部より離れた領域よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 29/78 321 W
, H01L 29/78 321 J
