特許

J-GLOBAL ID：200903000600815194

磁気メモリ装置

発明者： 山田 光一
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 宮園 博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-332280
公開番号（公開出願番号）：特開2002-260377
出願日： 2001年10月30日
公開日（公表日）： 2002年09月13日
要約：

【要約】【課題】増幅器(センスアンプ)の構成が複雑になるのを防止するとともに、高速な読み出しが可能な磁気メモリ装置を提供する。【解決手段】2つのTMR素子4aおよび4bと、2つのNMOSトランジスタ5aおよび5bとからなるメモリセル52と、NMOSトランジスタ5aおよび5bのゲートに接続されたワード線と、NMOSトランジスタ5aを介してTMR素子4aに接続されたビット線と、NMOSトランジスタ5bを介してTMR素子4bに接続された反転ビット線と、ビット線と反転ビット線とに接続されたセンスアンプ53とを備えている。そして、データの読み出し時に、選択されたワード線に、信号を入力するとともに、ワード線への信号の入力によってビット線と反転ビット線との間に生じた電位差をセンスアンプ53を用いて読み出す。

請求項（抜粋）：

強磁性トンネル効果を示す第1記憶素子および第2記憶素子と、前記第1および第2記憶素子にそれぞれ接続される第1および第2トランジスタとからなるメモリセルと、前記第1および第2トランジスタの制御端子に接続されたワード線と、前記第1トランジスタを介して前記第1記憶素子に接続されたビット線と、前記第2トランジスタを介して前記第2記憶素子に接続され、前記ビット線とビット線対を構成する反転ビット線と、前記ビット線と前記反転ビット線とに接続された増幅器とを備え、データの読み出し時に、選択された前記ワード線に、信号を入力するとともに、前記ワード線への信号の入力によって前記ビット線と前記反転ビット線との間に生じた電位差を前記増幅器を用いて読み出す、磁気メモリ装置。

IPC (4件)：

G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08

FI (4件)：

G11C 11/14 Z ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

Fターム (5件)：

5F083FZ10 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083NA01 ,  5F083NA08

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 磁気ランダムアクセスメモリ回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-124766   出願人：日本電気株式会社