特許

J-GLOBAL ID：200903000605235943

マイクロシステム及びその製造方法

発明者： トーマス ツエトラー
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (1件)： 富村 潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-125905
公開番号（公開出願番号）：特開平8-083941
出願日： 1995年04月26日
公開日（公表日）： 1996年03月26日
要約：

【要約】【目的】 集積回路から出発してマイクロメカニズムデバイスを形成するための付加的なプロセスなしで集積回路及びマイクロメカニズムデバイスを有するマイクロシステムを提供し、かつマイクロシステムの集積回路及びマイクロメカニズムデバイスを同時に形成することのできる方法を提供する。【構成】 マイクロメカニズムデバイスの固定マイクロメカニズム構造A、E、B及び可動マイクロメカニズム構造R、M、Fを少なくとも一部は導電層7から形成し、この導電層7を同時に集積回路の金属化部として使用する。導電層7の下の絶縁層は可動マイクロメカニズム構造の範囲には存在せず、その結果可動構造は自由に又は弾力的に可動である。

請求項（抜粋）：

絶縁層(5)とその上に配設されこの絶縁層(5)内にある接触部(6)を介して下にある回路素子と接続されている導電層(7)とを含む集積回路(IC)と、固定されたマイクロメカニズム構造(A、E)と少なくとも部分的に導電層(7)から成る可動のマイクロメカニズム構造(R、F、M)とを含むマイクロメカニズムデバイス(MD)とを有する半導体基板(1)上のマイクロシステムにおいて、固定マイクロメカニズム構造が絶縁層(5)及び/又は他の接触部(6)により基板(1)と接合されており、可動のマイクロメカニズム構造の下には絶縁層(5)が存在しないことを特徴とする半導体基板上のマイクロシステム。

IPC (8件)：

H01L 49/00 ,  G12B 3/00 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/308 ,  H01L 21/78 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/06 ,  H02N 1/00

FI (3件)：

H01L 21/302 J ,  H01L 21/72 ,  H01L 27/06 102 Z