特許
J-GLOBAL ID:200903000612276370

半導体レーザ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 西野 卓嗣
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-288821
公開番号(公開出願番号):特開平5-129718
出願日: 1991年11月05日
公開日(公表日): 1993年05月25日
要約:
【要約】 (修正有)【目的】 端面近傍で電流を流さず、かつ活性層の段差をなくすことにより長寿命を有する半導体レーザを提供する。【構成】 P型半導体基板1の上に順次、N型電流阻止層2と、前記半導体基板1に達するストライプ溝3を有するP型クラッド層4と、活性層5と、N型クラッド層6と、N型コンタクト層7を形成する。そして端面近傍の前記コンタクト層7の表面から前記N型クラッド層6の略中間の深さまでの範囲に於て、イオン注入によりP型反転した又はプロトン照射により高抵抗化した電流管理層8を形成する。
請求項(抜粋):
P型半導体基板と、その上に順次形成されたN型電流阻止層と前記半導体基板に達するストライプ溝を有するP型クラッド層と活性層とN型クラッド層とN型コンタクト層と、端面近傍の前記コンタクト層の表面から前記N型クラッド層の略中間の深さまでの範囲に於てイオン注入によりP型反転した又はプロトン照射により高抵抗化した電流管理層とを具備した事を特徴とする半導体レーザ。

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