密着イメージセンサ及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-164262
公開番号（公開出願番号）：特開平9-017987
出願日： 1995年06月29日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：

【要約】【目的】マトリクス駆動型の密着イメージセンサであって、駆動回路をTFT素子を用いて構成してセンサ素子と共に同一センサ基板に集積化した構造で、低コストで経済性に優れ、高速でしかも特性ばらつきの少ない密着イメージセンサを提供する。【構成】少くとも駆動回路を構成するTFT素子4Bの構造を、ガラス基板20に、ゲート電極(第1電極層21)と、ゲート絶縁層22と、半導体層23と、不純物半導体層24とをこの順に又はこの逆の順に積層した構造であり、半導体層23はただ一回の堆積操作により所定膜厚に堆積された層よりなり、その厚さ方向には不連続性のない単層構造のものであると共に、不純物半導体層24が、ゲート電極に対応してゲート絶縁層22と半導体層23との界面に形成されるチャネルの両端に接している構造とする。

請求項（抜粋）：

光電変換用のセンサ素子とこれに接続されたスイッチ素子とを含む回路を単位としてこれを複数列線状に配列して成る光電変換部と、その光電変換部をマトリクス駆動するための駆動回路とを少くとも備えるマトリクス駆動型の密着イメージセンサであって、前記スイッチ素子および前記駆動回路を構成するトランジスタを絶縁ゲート型の薄膜トランジスタで構成すると共に、前記光電変換部と前記駆動回路とを同一の絶縁性透明基板上に同一製造工程により集積化した構造の密着イメージセンサにおいて、前記二種類の薄膜トランジスタのうち少くとも駆動回路を構成する薄膜トランジスタは、前記絶縁性透明基板に、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、そのゲート絶縁層との界面に前記ゲート電極に対応したチャネルを形成する半導体層と、前記半導体層に対して前記チャネルへの電流流入点となるドレイン領域およびチャネルからの電流流出点となるソース領域を形成する不純物半導体層とをこの順に積層した逆スタガ型または、この逆の順に積層したスタガ型の構造を備えるトランジスタであり、前記半導体層が、ただ一回の堆積操作により所定膜厚に積層された層よりなり、その厚さ方向には不連続性のない単層構造のものであると共に、前記不純物半導体層が前記チャネルの両端に接している構造であることを特徴とする密着イメージセンサ。

IPC (3件)：

H01L 27/146 , H01L 29/786 , H04N 1/028

FI (3件)：

H01L 27/14 C , H04N 1/028 A , H01L 29/78 612 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭63-119260
特開昭64-010222
特開昭56-138967

前のページに戻る