特許
J-GLOBAL ID:200903000613641080
リッジ型光導波路
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
長門 侃二
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-150677
公開番号(公開出願番号):特開平9-005546
出願日: 1995年06月16日
公開日(公表日): 1997年01月10日
要約:
【要約】【目的】 波長が1.2μmから1.70μmの間に位置する広帯域の光を良好に閉じ込めることができるリッジ型光導波路を提供する。【構成】 このリッジ型光導波路は、いずれも半導体材料から成り、基板1の上に、下部クラッド層2、コア層3、および上部クラッド層4がこの順序で積層されている層構造を必須として有し、かつ、層構造の上部には路幅Wの導波路が所望のパターンをなしてリッジa1 として形成されているリッジ部A1 を有するリッジ型光導波路において、導波路を伝搬する波長λの光に対する規格化周波数V(λ)を、次式:V(λ)=(2π/λ)・W・{na 2(λ) -nb 2(λ) }1/2 (ただし、na (λ)は、前記リッジ部A1 を構成する層構造の波長λの光に対する等価屈折率を表し、nb (λ)は、波長λの光に対する前記リッジ部以外の箇所A2 の等価屈折率を表す)で表示した場合、次式:0.95≦V(λ1 )/V(λ2 )≦1.05(ただし、λ1 は1.2μm〜1.70μmの間に位置し、かつ、λ2 は1.3μmである)で示す関係が成立している。
請求項(抜粋):
いずれも半導体材料から成り、基板の上に、下部クラッド層、コア層、および上部クラッド層がこの順序で積層されている層構造を必須として有し、かつ、前記層構造の上部には所定の平面パターンをなして幅Wのリッジが光導波路として形成されているリッジ部を有するリッジ型光導波路において、前記光導波路を伝搬する波長λの光に対する規格化周波数V(λ)を、次式: V(λ)=(2π/λ)・W・{na 2(λ) -nb 2(λ) }1/2 (ただし、na (λ)は、前記リッジ部を構成する層構造の波長λの光に対する等価屈折率を表し、nb (λ)は、前記リッジ部以外の箇所を構成する層構造の波長λの光に対する等価屈折率を表す)で表示した場合、波長λ1 ,λ2 の光に対して、次式:0.95≦V(λ1 )/V(λ2 )≦1.05(ただし、波長λ1 は、1.2μm〜1.70μmの間に位置し、かつ、λ2は1.3μmである)で示される関係が成立していることを特徴とするリッジ型光導波路。
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