特許
J-GLOBAL ID:200903000617104860
MgO蒸着材及びその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
須田 正義
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-105569
公開番号(公開出願番号):特開平10-297955
出願日: 1997年04月23日
公開日(公表日): 1998年11月10日
要約:
【要約】【課題】電子ビーム蒸着法にて蒸着しても、スプラッシュが殆ど発生せずかつ成膜されるMgO膜の厚さを略均一に形成できる。【解決手段】MgO蒸着材は電融MgOが60体積%以下の割合で含まれかつMgO焼結体の平均結晶粒径が1〜150μmであるMgO焼結体ペレットからなり、このMgO焼結体ペレットのMgO純度及び相対密度はそれぞれ99.5%以上及び96%以上である。またMgO焼結体ペレットに含まれる、Si及びAlの不純物が元素濃度で200ppm以下であり、Caの不純物が元素濃度で250ppm以下であり、Feの不純物が元素濃度で50ppm以下であり、Cr,V及びNiの不純物がそれぞれ元素濃度で10ppm以下であり、Na及びKの不純物がそれぞれ元素濃度で20ppm以下であり、Cの不純物が元素濃度で70ppm以下であり、Zrの不純物が元素濃度で150ppm以下である。
請求項(抜粋):
電融MgOが60体積%以下の割合で含まれかつMgO焼結体の平均結晶粒径が1〜150μmであるMgO焼結体ペレットのMgO純度及び相対密度がそれぞれ99.5%以上及び96%以上であるMgO蒸着材。
IPC (5件):
C04B 35/04
, C01F 5/02
, C23C 14/08
, C23C 14/24
, G09F 9/00 342
FI (5件):
C04B 35/04 Z
, C01F 5/02
, C23C 14/08 J
, C23C 14/24 N
, G09F 9/00 342 C
引用特許: