特許
J-GLOBAL ID：200903000617245910

窒化物半導体多色発光素子及びその製造方法

発明者：
中村 修二

中村 修二 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-321755
公開番号（公開出願番号）：特開平9-162444
出願日： 1995年12月11日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：
【要約】【目的】 窒化物半導体を用いて、一チップで多色発光できる素子とその製造方法を提供することにより、高精細なディスプレイを実現する。【構成】 基板上に第一の活性層を有する窒化物半導体層を形成した後、第一の活性層とは別に、第一の活性層とバンドギャップエネルギーが異なる第二の活性層を有する窒化物半導体層を部分的に成長させることにより、同一基板上に互いにバンドギャップエネルギーが異なる窒化物半導体よりなる活性層を有する単位発光素子が隔離して形成できるため、一チップで多色発光が可能となる。
請求項（抜粋）：
同一基板上に互いにバンドギャップエネルギーが異なる窒化物半導体よりなる活性層を有する単位発光素子が、それぞれ隔離して形成されていることを特徴とする窒化物半導体多色発光素子。
FI (2件)：
H01L 33/00 F ,  H01L 33/00 C
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (8件)
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