半導体装置およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-060035
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267565
出願日： 1992年03月17日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：

【要約】【目的】半導体集積回路のキャパシタ形成用絶縁膜に誘電率の大きなペロブスカイト構造となる複合酸化物薄膜を用い、キャパシタの占める面積を大幅に減少させ、大容量キャパシタの集積化を可能にする。【構成】半導体基板1上にペロブスカイト構造となる複合金属酸化物薄膜6を誘電体とし上下に電極5、7を有するキャパシタ2cが形成されており、キャパシタ2cの電極5、7と半導体基板1に形成されたMESFET2aまたは抵抗2bなどの回路素子または配線とが接続されている。【効果】複合金属酸化物薄膜としてBaxSr1-xTiO3 膜を用いた場合、従来のSiN膜と比較して誘電率が49倍になり、キャパシタの面積を1/49にすることができる。さらにx=0.7以下とすることにより、2GHz以上にわたって容量値の変化のないキャパシタを得られる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にペロブスカイト構造となる複合金属酸化物薄膜を誘電体とし上下に電極を有するキャパシタが形成され、前記キャパシタの電極と半導体基板に形成された回路素子または配線とが接続されている半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (18件)

特開平3-054828
特開平4-014862
特開平2-232961

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