特許
J-GLOBAL ID：200903000620983549
酸化物超電導導体およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-205551
公開番号（公開出願番号）：特開平5-024996
出願日： 1991年07月22日
公開日（公表日）： 1993年02月02日
要約：
【要約】【目的】 本発明は結晶配向性の良好な酸化物超電導導体とその製造方法に関する。【構成】 本発明の酸化物超電導導体は、基材上に形成された多結晶薄膜とその上に形成された酸化物超電導層とを具備し、多結晶薄膜の多数の結晶粒が結晶粒界を介し結合されてなる立方晶系のものであり、基材の成膜面と平行な面に沿う各結晶粒の同一結晶軸が構成する粒界傾角が30度以下に形成されてなるものである。【効果】 スパッタリングによりターゲットから叩き出した構成粒子を基材上に堆積させる際に、イオンガンから発生させたイオンを同時に斜め方向から照射しつつ堆積させることで配向性の良好な多結晶層が得られ、その上に形成された酸化物超電導層は結晶配向性の良好な酸化物超電導層となる。
請求項（抜粋）：
基材とこの基材の成膜面上に形成された多結晶薄膜とこの多結晶薄膜上に形成された酸化物超電導層とを具備してなる酸化物超電導導体において、前記多結晶薄膜が、基材の成膜面上に形成された多数の結晶粒を結晶粒界を介して結合してなる立方晶系の多結晶薄膜であって、基材の成膜面と平行な面に沿う各結晶粒の同一結晶軸が構成する粒界傾角が、30度以下に形成されてなることを特徴とする酸化物超電導導体。
IPC (3件)：
C30B 29/22 501
, H01B 13/00 565
, H01B 12/06 ZAA
