特許

J-GLOBAL ID：200903000624333131

高電圧CMOSアプリケーションのESD保護デバイス

発明者： チャーバカ デュブーリィ ,  ロイ クリフトン ジョーンズ ザ サード
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-043243
公開番号（公開出願番号）：特開平8-321560
出願日： 1996年02月29日
公開日（公表日）： 1996年12月03日
要約：

【要約】【課題】 高電圧用途でも実現されるESD保護。【解決手段】 保護デバイス、回路、及びそれを形成する方法を開示する。フィールド酸化物ドレイン拡張nMOS(FODENMOS)トランジスタ(10)はエピタキシャル領域(16)に配置される。FODENMOSトランジスタ(10)は、ソース拡散領域(22)から拡張ドレイン領域(20)の一部を超えて伸びるフィールド酸化物領域(36a)を有する。ドレイン拡散領域(24)は拡張ドレイン領域(20)内に配置される。ゲート電極(40)は、必要であれば、フィールド酸化物領域(36a)上に配置され得る。従って、低ESD保護につながるゲート電極(40)と拡張ドレイン領域(20)との間の薄い酸化物界面がない。

請求項（抜粋）：

保護デバイスであって、半導体基板に形成されるソース領域と、前記半導体基板に形成されるドレイン領域と、前記ソース領域から前記ドレイン領域へ伸びる前記半導体基板上の厚い酸化物層とを有する保護デバイス。

IPC (5件)：

H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 27/08 321 H ,  H01L 27/04 H ,  H01L 29/78 301 K