特許

J-GLOBAL ID：200903000627238253

半田付け方法

発明者： 西森 直樹 ,  藤川 元成
出願人/特許権者： オムロン株式会社
代理人 (1件)： 飯塚 信市
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-073104
公開番号（公開出願番号）：特開平11-261211
出願日： 1998年03月06日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 2枚以上の回路基板を井桁状に組み合わせ、ランド間を半田付けする方法において、接合強度及び信頼性のばらつきを解消する。【解決手段】 接合対象となる1組のランド毎に半田付けを行なうことにより、導体パターン同士を互いに接合する半田付け方法において、回路基板1上に電子部品4を実装する工程で、導体パターン接合用のランド11a,11b上に凝固された半田を形成し、各回路基板1を井桁状に組合せる工程を経て、接合対象となる1組以上のランド11a,11bを井桁角部に配置し、井桁角部に配置された前記1組以上のランド11a,11b上に形成されている凝固半田を、共に加熱溶融させて互いに一体化させ、1組のランド毎のランド双方を互いに接合させる。

請求項（抜粋）：

2枚以上の回路基板の導体パターン同士を互いに接合するため、当該各回路基板の接合部位毎に予めランドを各々形成し、また、当該各回路基板を井桁状に組み合せて接合対象となる1組以上のランドを井桁角部に配置した後、接合対象となる1組のランド毎に半田付けを行なうことにより、前記導体パターン同士を互いに接合する半田付け方法において、回路基板上に電子部品を実装する工程で、前記導体パターン接合用のランド上に凝固された半田を形成し、当該凝固半田の形成後、前記各回路基板を井桁状に組合せる工程を経て、前記接合対象となる1組以上のランドを井桁角部に配置し、井桁角部に配置された前記1組以上のランド上に形成されている凝固半田を、共に加熱溶融させて互いに一体化させ、1組のランド毎のランド双方を互いに接合させることを特徴とする半田付け方法。

IPC (2件)：

H05K 3/34 507 ,  H05K 3/36

FI (2件)：

H05K 3/34 507 M ,  H05K 3/36 B