特許
J-GLOBAL ID：200903000641188676
シリコン半導体圧力計の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小沢 信助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-241604
公開番号（公開出願番号）：特開平5-082806
出願日： 1991年09月20日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：
【要約】【目的】 製造コストを低減出来、特性の向上し得る過大圧保護構造付きのシリコン半導体圧力計の製造方法を提供するにある。【構成】 シリコン半導体基板と、該半導体基板に設けられ該半導体基板にエピタキシャル成長により形成されたダイアフラムを形成する狭い空隙と、該空隙と外部とを連通する連通孔と、前記測定ダイアフラムに設けられた歪み検出センサとを具備してなるシリコン半導体圧力計の製造方法において、空隙の部分を陽極化処理によりポ-ラス化して多孔質層を形成し、多孔質層を酸化して、沸化水素酸で除去するようにしたシリコン半導体圧力計の製造方法である。
請求項（抜粋）：
シリコン半導体基板と、該半導体基板に設けられ該半導体基板にエピタキシャル成長により形成されたダイアフラムを形成する狭い空隙と、該空隙と外部とを連通する連通孔とを具備してなるシリコン半導体圧力計の製造方法において、以下の工程を有する事を特徴とするシリコン半導体圧力計の製造方法。(a)沸化水素酸中で、白金電極に対して前記シリコン半導体基板を陽極になるように外部電源を接続し、電流を流し該シリコン半導体基板の一面の所定箇所に多孔質層を形成する工程。(b)前記シリコン半導体基板の一面にエピタキシャル成長層を形成する工程。(c)前記シリコン半導体基板の一面又は他面から前記多孔質層に達する前記連通孔をエッチングにより形成する工程。(d)前記多孔質層を酸化して酸化層を形成する工程。(e)沸化水素酸により該酸化シリコン膜を除去する工程。
IPC (2件)：
H01L 29/84
, G01L 9/04 101
