特許
J-GLOBAL ID：200903000642729174
半導体光変調器
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
光石 俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-125510
公開番号（公開出願番号）：特開2001-305498
出願日： 2000年04月26日
公開日（公表日）： 2001年10月31日
要約：
【要約】【課題】 紫外光領域でも使用波可能な半導体光変調器の提供。【解決手段】 半導体光変調器の光導波路11、12をワイドギャップ半導体であるAlN、GaN及びAlGaNを用いて構成する。n型GaN基板19に、n型にドープしたAlBNGa(1-BN)N/AlWNGa(1-WN)N超格子クラッド層18を形成し、その上に、不純物をドープしていないAlx Ga(1-x) Nコア層20を成長し、更に、p型にドープしたAlBPGa(1-BP)N/AlWPGa(1-WP)N超格子クラッド層21を成長する。Alx Ga(1-x) Nコア層20の屈折率は、n型及びp型の超格子クラッド層18、21の平均屈折率よりも大きい。
請求項（抜粋）：
第1クラッド層、光導波層及び第2クラッド層が積層した構成を有する半導体光変調器において、前記光導波層は、不純物をドープしていないAlx Ga(1-x) N(ただし、0≦x≦1)を有し、第1クラッド層は、p型にドープしたNBPなる屈折率を有するAlBPGa(1-BP)N層で厚さDBPなる障壁層とp型にドープしたNWPなる屈折率を有するAlWPGa(1-WP)N層で厚さDWPなる井戸層とが交互に積層され、(NBP×DBP+NWP×DWP)/(DBP+DWP)の値が前記光導波層の屈折率より小さい構成を有し、第2クラッド層は、n型にドープしたNBNなる屈折率を有するAlBNGa(1-BN)N層で厚さDBNなる障壁層とn型にドープしたNWNなる屈折率を有するAlWNGa(1-WN)N層で厚さDWNなる井戸層とが交互に積層され、(NBN×DBN+NWN×DWN)/(DBN+DWN)の値が前記光導波層の屈折率より小さい構成を有することを特徴とする半導体光変調器。
IPC (3件)：
G02F 1/017 503
, G02F 1/017 501
, G02F 1/313
G02F 1/017 503
, G02F 1/017 501
, G02F 1/313
2H079AA02
, 2H079BA01
, 2H079DA16
, 2H079EA05
, 2H079EA08
, 2H079EB04
, 2H079HA11
, 2K002AB04
, 2K002AB09
, 2K002BA06
, 2K002CA13
, 2K002DA06
, 2K002DA12
, 2K002EA04
, 2K002EA08
, 2K002EB03
, 2K002GA10
, 2K002HA17
