特許
J-GLOBAL ID：200903000646912399
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-175140
公開番号（公開出願番号）：特開平11-126819
出願日： 1998年06月22日
公開日（公表日）： 1999年05月11日
要約：
【要約】【課題】 素子分離領域の一部に、より誘電率の低い空隙(真空)部分を形成して、素子分離領域での寄生容量を低減させて素子分離能力を向上させる。【解決手段】 半導体基板11上に熱酸化膜12を形成し、この熱酸化膜12と半導体基板11とを開口してトレンチ15を形成し、その内壁に熱酸化膜16を形成後、前記トレンチ15内にシリコン窒化膜17を埋設させ、次に、素子活性領域にトランジスタを形成後、半導体基板11の全面にBPSG膜25を堆積してこれを平坦化する。次に、ポリシリコン膜26及びシリコン窒化膜27を順次堆積後、前記シリコン窒化膜17上のシリコン窒化膜27を選択的に除去して開口部29を形成した後、前記シリコン窒化膜17及び27を除去することにより空隙(15、29)を形成し、その後、前記ポリシリコン膜26を熱酸化して熱酸化膜30を形成し、これで前記空隙(15、29)の上部を密閉して空洞(真空)領域を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板に形成された第1の素子分離構造と第2の素子分離構造とを備え、前記半導体基板には、前記第1の素子分離構造により画定される第1の素子活性領域と前記第2の素子分離構造により画定される第2の素子活性領域を備え、前記第1の素子分離構造は、前記半導体基板に形成された第1の溝部から構成されており、前記第1の溝部内に形成された第1の空洞領域を備え、前記第2の素子分離構造は、絶縁膜からなる素子分離構造、電極を備えたフィールドシールド素子分離構造の何れか一方の素子分離構造で構成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/764
, H01L 21/76
, H01L 21/762
, H01L 27/08 331
, H01L 27/10 481
H01L 21/76 A
, H01L 27/08 331 E
, H01L 27/10 481
, H01L 21/76 S
, H01L 21/76 L
, H01L 21/76 D
