特許

J-GLOBAL ID：200903000648772713

酸化物単結晶の製造方法および装置

発明者： 谷内 哲夫 ,  今枝 美能留 ,  古久根 伸征
出願人/特許権者： 日本碍子株式会社
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-065883
公開番号（公開出願番号）：特開平8-259376
出願日： 1995年03月24日
公開日（公表日）： 1996年10月08日
要約：

【要約】【目的】μ引下げ法等によって酸化物単結晶を育成するのに際して、多量の原料を処理して連続的に多量の酸化物単結晶を形成し、この酸化物単結晶の組成の変動等を防止して、高品質の酸化物単結晶を製造することである。【構成】酸化物単結晶の原料をルツボ7内へと供給して溶融させ、この溶融物8に対して種結晶を接触させ、ルツボ7から例えば下方へと向かって溶融物8を引下げながら酸化物単結晶14を育成する。この連続的に形成されている酸化物単結晶14に対してレーザー光Rを照射し、酸化物単結晶14からの出力光Sを測定し、この測定値に従って、原料供給装置24からルツボ7へと供給する原料の組成比率を制御する。

請求項（抜粋）：

酸化物単結晶の原料をルツボ内へと供給して溶融させ、この溶融物に対して種結晶を接触させて前記酸化物単結晶を育成する、酸化物単結晶の製造方法であって、前記酸化物単結晶に対してレーザー光を照射し、この酸化物単結晶からの出力光を測定し、この測定値に従って前記ルツボへと供給する前記原料の組成比率を制御することを特徴とする、酸化物単結晶の製造方法。

IPC (8件)：

C30B 15/08 ,  C30B 15/02 ,  C30B 15/26 ,  C30B 15/34 ,  C30B 29/30 ,  C30B 29/62 ,  H01S 3/16 ,  G02B 6/00 371

FI (8件)：

C30B 15/08 ,  C30B 15/02 ,  C30B 15/26 ,  C30B 15/34 ,  C30B 29/30 A ,  C30B 29/62 E ,  H01S 3/16 ,  G02B 6/00 371

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開平1-294590
  
• 化合物半導体結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-060515   出願人：株式会社ジャパンエナジー