電力用半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：則近憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-074318
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274317
出願日： 1995年03月31日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：

【要約】【目的】本願発明は陽極に過電圧および高dv/dtが印加されても破壊しない電力用半導体装置を提供することを目的とする。【構成】本発明はn- 型基板1に半導体素子領域が形成され、それを取り囲むように、リング状のp型リング層8とストッパー層9及びストッパー電極10と、電界緩和のためのRESURF層11とによって、接合終端領域が形成され、p型リング層8にはn型拡散層12が拡散形成され、このn型拡散層12は電極12によってp型リング層8と短絡されて、電極13はソース電極5に接続され、n型拡散層12の外側にはn型拡散層14が拡散形成され、このn型拡散層14は電極15によってp型リング層8に短絡されてなることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

第1導電型の高抵抗基板の第1の表面に、半導体素子領域と第1の主電極が形成され、前記半導体素子領域を取り囲むように、前記第1の主電極と接続された第1の第2導電型高濃度層と、前記第1の第2導電型高濃度層から所定距離外側に前記第1の第2導電型高濃度層を取り囲むように形成された第1の第1導電型高濃度層と、前記第1の第1導電型高濃度層の表面に前記半導体素子領域を取り囲むように形成された第1の電極と、前記第1の第2導電型高濃度層と前記第1の第1導電型高濃度層の間に形成された電界緩和領域と、による接合終端領域が形成され、前記第1の表面と反対側の第2の表面には、第2の第2導電型高濃度層と、第2の主電極が形成された半導体電力用半導体装置において、前記第1の第2導電型高濃度層に、前記素子領域を取り囲むように、選択的に一つあるいは複数の第2の第1導電型高濃度層と、前記第2の第1導電型高濃度層と前記第1の第2導電型高濃度層と前記第1の主電極を短絡するような第2の電極と、が形成され、前記第2の第1導電型高濃度層と前記第1の第2導電型高濃度層と前記第1導電型の高抵抗基板と前記第2の第2導電型高濃度層とで構成されるサイリスタ構造のブレークオーバー電圧が、前記接合終端領域あるいは前記素子領域が破壊する電圧よりも低いことを特徴とする電力用半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/78 , H01L 21/331 , H01L 29/73 , H01L 29/74 , H01L 29/744

FI (4件)：

H01L 29/78 655 F , H01L 29/72 , H01L 29/74 N , H01L 29/74 C

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