特許

J-GLOBAL ID：200903000655021790

半導体装置の製造方法

発明者： 各務 克巳 ,  大場 隆之 ,  原 樹 ,  大平 真也
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  富士通ヴィエルエスアイ株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-242655
公開番号（公開出願番号）：特開平8-107144
出願日： 1994年10月06日
公開日（公表日）： 1996年04月23日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】絶縁膜や導電膜の表面を清浄化する工程を含む半導体装置及びその製造方法に関し、絶縁膜表面をクリーニングし、絶縁膜の脱ガスを防止するとともに、層間絶縁膜の開口部での選択成長を向上すること。【構成】基板1の上に絶縁膜6を形成する工程と、前記絶縁膜6をフッ化塩素プラズマに曝すことにより、前記絶縁膜6の少なくとも表面をフッ素終端処理して耐透水性を向上する工程を含む。

請求項（抜粋）：

基板の上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜をフッ化塩素プラズマに曝すことにより、前記絶縁膜の表面をクリーニングする工程と、同時に前記絶縁膜の少なくとも表面をフッ素終端処理して耐透水性を向上する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/304 341