特許
J-GLOBAL ID：200903000655029805
薄膜トランジスタ及びその製造方法並びにこれを用いた回路及び液晶表示装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-060042
公開番号（公開出願番号）：特開2001-291875
出願日： 1997年06月27日
公開日（公表日）： 2001年10月19日
要約：
【要約】【課題】 特性の劣化を低減し、TFTのリーク電流を低減し、リーク電流のばらつきを抑制する構造を有する薄膜トランジスタ及びその製造方法並びにこれを用いた回路及び液晶表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】 Vgs-Ids特性の劣化を低減し得る構造を有する薄膜トランジスタである。この薄膜トランジスタ16は、N型不純物拡散領域からなるソース領域17、ドレイン領域18と、ゲート電極19を有しており、ゲート電極19直下がチャネル領域30となっている。また、ソース領域17、ドレイン領域18には、複数のコンタクトホール20、...を通じてソース電極21、ドレイン電極22がそれぞれ接続されている。そして、チャネル領域30内部に、P型不純物拡散領域23が複数個所、一定間隔おきに形成されている。
請求項（抜粋）：
基板上の非単結晶シリコン薄膜に形成されたチャネル領域と、該非単結晶シリコン薄膜に該チャネル領域を挟むように離間して形成された第1導電型からなる第1領域および第2領域と、前記第1領域または第2領域の近傍の高電界領域で発生した前記第1導電型と反対の導電型のキャリアが流れ込むキャリア注入領域と、を有する薄膜トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/786
, H01L 27/08 331
, G02F 1/1368
H01L 27/08 331 E
, G02F 1/1368
, H01L 29/78 618 F
