薄膜状半導体装置およびその作製方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-297650
公開番号（公開出願番号）：特開平6-124962
出願日： 1992年10月09日
公開日（公表日）： 1994年05月06日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】特性・信頼性の優れた薄膜トランジスタを歩留りよく製造する方法を提供する。【構成】絶縁基板上に薄膜トランジスタ(TFT)を形成する工程において、シリコン半導体上にゲイト絶縁膜103とゲイト電極104を形成し、ゲイト電極を陽極酸化105し、露出したシリコン半導体を覆って、モリブテン、タングステン、プラチナ(白金)、クロム、チタン、コバルト等の金属被膜107を形成し、この被膜に対して、上方もしくは基板側からレーザー等の強光を照射することによって、前記金属被膜とシリコンを反応させてシリサイド108を得て、このシリサイドによってソース/ドレインの実質的な抵抗を低減せしめる。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上にP型もしくはN型の2つのシリコン半導体の不純物領域と、該不純物領域間にある実質的に真性か、あるいは該不純物領域とは反対の導電型のシリコン半導体からなる活性層と、該活性層の上にあるゲイト絶縁膜と、該ゲイト絶縁膜に密着して存在するゲイト電極と、ゲイト電極の少なくとも側面に存在するゲイト電極を構成する材料の少なくとも1つからなる陽極酸化物と、前記2つの不純物領域の上に密着して形成され、前記不純物領域と実質的に同じ形状をした金属とシリコンからなる層状のシリサイド領域とを有することを特徴とする薄膜状半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/336 , H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 29/78 311 P , H01L 29/78 311 G

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭62-032653
特開昭63-178560
特開昭58-023479

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