特許

J-GLOBAL ID：200903000655619106

パターン形式用レジスト構造とパターン形成方法

発明者： 佐本 典彦
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-110828
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326018
出願日： 1993年05月13日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：

【要約】【目的】 二種類以上のレジスト膜を層状に重ねた多層レジストを用いたパターン形成方法における、レジストパターンの変形、レジスト界面での混合層の発生を防止する。【構成】 基板11上に第一のレジスト膜12が塗布形成され、その上に水溶性高分子膜13が塗布形成れ、その上に第二のレジスト膜14が塗布形成されたパターン形成用レジスト構造である。このレジスト構造を用いたパターン形成方法では、第一のパターンの製造工程中の変形や、2つのレジスト膜の界面にできる現像液で除去できない混合膜の形成がない。従って多層レジストを用いた良好な微細パターン形成が実現できる。

請求項（抜粋）：

基板上に第一のレジスト膜が塗布形成され、前記第一のレジスト膜上に水溶性高分子膜が塗布形成され、前記水溶性高分子膜上に第二のレジスト膜が塗布形成されていることを特徴とするパターン形成用レジスト構造。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/26 511

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭59-175725
  
• 特開昭62-239530