特許

J-GLOBAL ID：200903000656659012

PFC分解方法、PFC分解装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 杉浦 利和
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 柳瀬 睦肇 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-049190
公開番号（公開出願番号）：特開2003-245520
出願日： 2002年02月26日
公開日（公表日）： 2003年09月02日
要約：

【要約】【課題】 PFCガスの分解率を向上させてより効率良くPFCガスを分解できるPFC分解方法、PFC分解装置及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 本発明に係るPFC分解装置は、半導体製造装置等のプロセス装置10から排気されるPFCガスが導入されるPFC分解装置14内のチャンバーと、PFC分解チャンバー内にプラズマを発生させるプラズマ発生機構と、このPFC分解チャンバーに酸化反応ガスを供給するための供給機構16と、を具備する。上記PFC分解チャンバー内でPFCガスをプラズマにより分解して酸化反応ガスと化学反応させて反応生成物を形成することにより除害する。上記供給機構16から供給される酸化反応ガスは、KMnO4又はOsO4を含むガスである。これにより、PFCガスの分解率を向上させてより効率良くPFCガスを分解できる。

請求項（抜粋）：

半導体製造装置から排気されるPFCガスを分解して除害する方法であって、上記PFCガスをプラズマにより分解して酸化反応ガスと化学反応させて反応生成物を形成することにより除害することを特徴とするPFC分解方法。

IPC (5件)：

B01D 53/70 ,  B01D 53/34 ZAB ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

FI (5件)：

C23C 16/44 E ,  H01L 21/205 ,  B01D 53/34 134 E ,  B01D 53/34 ZAB ,  H01L 21/302 B

Fターム (20件)：

4D002AA22 ,  4D002AC10 ,  4D002BA05 ,  4D002BA07 ,  4D002DA03 ,  4D002DA11 ,  4D002DA21 ,  4D002DA34 ,  4D002DA38 ,  4D002DA52 ,  4D002DA70 ,  4D002EA02 ,  4K030AA04 ,  4K030CA04 ,  4K030EA12 ,  4K030KA43 ,  4K030LA15 ,  5F004BC02 ,  5F045BB10 ,  5F045EG08