特許
J-GLOBAL ID：200903000665715529
半導体レーザ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 寛幸 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-148230
公開番号（公開出願番号）：特開2002-344086
出願日： 2001年05月17日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
要約：
【要約】【課題】 出射端部の活性層幅をサブミクロンサイズまで加工する際に、エッチングの終点検出が容易で、誤測定を防止できる、半導体レーザの構造及びその製造方法を提供する。【解決手段】 ストライプ形状に加工された第1の半導体層101、活性層102、および第2の半導体層103を、第1の埋め込み層105、第2の埋め込み層106、および第3の埋め込み層107により埋め込んで形成された、活性層ストライプ104と平行に、少なくとも第1の半導体層、第1の埋め込み層、第2の埋め込み層、第3の埋め込み層、およびコンタクト層を含むモニタストライプ115が形成される。活性層ストライプとモニタストライプとの間は、分離溝により電気的に分離される。モニタストライプの活性層幅を基準にして、容易かつ正確にウエットエッチングの終了を検出できる。
請求項（抜粋）：
基板上に順次積層されストライプ状に形成された第1の半導体層、活性層、および第2の半導体層と、それらのストライプ状に形成された層を埋め込んで順次積層された第1の埋め込み層、第2の埋め込み層、および第3の埋め込み層と、前記第3の埋め込み層上に形成されたコンタクト層とを含む活性層ストライプを備えた半導体レーザにおいて、前記活性層ストライプと平行に形成された、前記第1の半導体層、前記第1の埋め込み層、前記第2の埋め込み層、前記第3の埋め込み層、および前記コンタクト層を含むモニタストライプを有し、前記活性層ストライプと前記モニタストライプとの間が分離溝により電気的に分離された半導体レーザ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (5件)：
5F073AA22
, 5F073CA01
, 5F073DA22
, 5F073DA35
, 5F073EA29
