特許
J-GLOBAL ID：200903000671457175
半導体集積回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
渡辺 望稔
, 三和 晴子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-029720
公開番号（公開出願番号）：特開2007-214187
出願日： 2006年02月07日
公開日（公表日）： 2007年08月23日
要約：
【課題】隣接する2つのボンディングワイヤ間の間隔が狭くなった場合でも、隣接するボンディングワイヤからの相互結合によるノイズの影響を低減することができる半導体集積回路を提供する。【解決手段】I/Oセルが半導体チップの外周部に沿って複数配置され、各々のI/Oセルのボンディングパッドと半導体パッケージの対応するリードフレームとが各々のボンディングワイヤで接続された半導体集積回路である。隣接する2つのI/Oセルの間に、I/Oセルと同様の構成のレプリカI/Oセルを配置し、2つのI/Oセルのボンディングパッドとリードフレームとを各々接続する2つのボンディングワイヤの間に、レプリカI/Oセルのボンディングパッドとリードフレームとを接続するボンディングワイヤを挿入し、レプリカI/Oセルのボンディングワイヤ上に出力される信号を所定電位にする。【選択図】図1
請求項１：
I/Oバッファセルおよび該I/Oバッファセルに接続されたボンディングパッドからなるI/Oセルが、半導体チップの外周部に沿って複数配置され、各々の前記I/Oセルのボンディングパッドと半導体パッケージの対応するリードフレームとが各々のボンディングワイヤで接続された半導体集積回路であって、
少なくとも1つの、隣接する2つのI/Oセルの間に、該I/Oセルと同様の構成のレプリカI/Oセルを配置し、なおかつ、前記2つのI/Oセルのボンディングパッドとリードフレームとを各々接続する2つのボンディングワイヤの間に、前記レプリカI/Oセルのボンディングパッドとリードフレームとを接続するボンディングワイヤを挿入し、該レプリカI/Oセルのボンディングワイヤ上に出力される信号を所定の電位とすることを特徴とする半導体集積回路。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/04 H
, H01L27/04 E
5F038BE07
, 5F038BH19
, 5F038CA03
, 5F038CA10
, 5F038CA18
, 5F038DF01
, 5F038DF07
, 5F038EZ20
