特許

J-GLOBAL ID：200903000671465640

プラズマアッシング処理装置

発明者： 古瀬 宗雄 ,  渡辺 成一 ,  福山 良次
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-152995
公開番号（公開出願番号）：特開平9-007998
出願日： 1995年06月20日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【目的】マイクロ波を利用してアッシング処理室内に発生させるプラズマの高密度領域を適宜設定して、試料を高速・均一処理する。【構成】マイクロ波アッシング処理装置において、マイクロ波発振器1によって生成されたマイクロ波をアッシング処理室4に供給するマイクロ波伝播手段2に、マイクロ波を特定のモードに共振させる共振器24を取り付け、この共振器 24からアッシング処理室4に、外周高のマイクロ波電界強度分布のマイクロ波を供給し、アッシングを高速で均一処理する。【効果】ウェハ10にアッシング処理を行う際、アッシング処理室4の外周部のプラズマを高密度とすることにより、ウエハのアッシング速度を均一にすることができる。

請求項（抜粋）：

プラズマによりエッチング等の処理を施した後のウエハ上のレジストを取り除くアッシング処理を行うプラズマ発生空間と、該プラズマ発生空間にマイクロ波等のエネルギを供給するプラズマ発生装置と、前記プラズマ発生空間にマイクロ波等のエネルギを移送させるエネルギ伝達装置と、前記プラズマ発生空間を減圧状態に保持することを可能とするアッシング処理室と、該アッシング処理室にアッシング処理を行うガスを供給するアッシングガス供給装置と、アッシング処理を施すウエハを保持する試料台と、前記アッシング処理室を減圧可能とする真空排気装置より成るプラズマ処理装置において、前記アッシング処理室内の試料台上のプラズマ密度の分布を、中央部より外周部で高くするように構成したことを特徴とするプラズマアッシング処理装置

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

H01L 21/302 H ,  H01L 21/30 572 A ,  H01L 21/302 F