特許

J-GLOBAL ID：200903000672395521

シリコン熱酸化膜の形成装置

発明者： 湯浅 和宏 ,  江尻 靖則
出願人/特許権者： 国際電気株式会社
代理人 (1件)： 石戸 元 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-002022
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204511
出願日： 1998年01月08日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：

【要約】【課題】 膜厚均一性を向上させるとともに再現性を向上させることができるシリコン熱酸化膜形成装置を得る。【解決手段】 反応室2において、酸素、H2 Oガスの酸化種とウェーハ3を直接反応させてシリコン酸化膜を形成する形成装置において、反応室2の前段に、水素ガスと酸素ガスからPt,Niとの触媒反応によりH2 Oガスを得るためのH2 Oガス発生装置24を有し、さらにウェーハ3の搬送雰囲気を制御可能な反応予備室を有し、かつ反応室2を所望の真空度とすることが可能な減圧機構(25、26、27)を有する。

請求項（抜粋）：

反応室において、酸素、H2 Oガスの酸化種とウェーハを直接反応させてシリコン酸化膜を形成する形成装置において、前記反応室の前段に、水素ガスと酸素ガスからPt,Niとの触媒反応によりH2 Oガスを得るためのH2 Oガス発生装置を有することを特徴とするシリコン熱酸化膜の形成装置。

IPC (2件)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/316

FI (2件)：

H01L 21/31 E ,  H01L 21/316 S