特許

J-GLOBAL ID：200903000672940635

成長結晶基板並びにそれを用いた半導体装置及びその製造方法

発明者： 野崎 千晴 ,  真下 正夫
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-057645
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246185
出願日： 1996年03月14日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、多大な時間と労力を要せずに形成可能で、且つ高い品質の実現を図る。【解決手段】 半導体層を有する成長結晶基板において、半導体層(12)の内部に、半導体層の構成元素とは異なる元素からなる数原子層厚の異材料領域(13)を備えた成長結晶基板並びにそれを用いた半導体装置及びその製造方法。

請求項（抜粋）：

半導体層を有する成長結晶基板において、前記半導体層の内部に、前記半導体層の構成元素とは異なる元素からなる数原子層厚の異材料領域を備えたことを特徴とする成長結晶基板。

IPC (6件)：

H01L 21/203 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01S 3/18

FI (4件)：

H01L 21/203 M ,  H01L 29/06 ,  H01S 3/18 ,  H01L 29/80 H