特許
J-GLOBAL ID：200903000673538865
半導体レーザー及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-311882
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129721
出願日： 1991年10月30日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：
【要約】【目的】 窓構造を有する半導体レーザーを容易にしかも制御性良く製造することを可能とする。【構成】 半導体レーザーにおいて、キャップ層6及びp型クラッド層5にメサ部7を設け、このメサ部7の周囲の部分のp型クラッド層5、活性層4及びn型クラッド層3中に不純物拡散またはイオン注入を行うことにより、窓8をメサ部7に対して自己整合的に形成する。この窓8の上に電流狭窄層9を設ける。
請求項（抜粋）：
化合物半導体基板と、上記化合物半導体基板上に設けられた第1導電型の第1のクラッド層と、上記第1のクラッド層上に設けられた活性層と、上記活性層上に設けられた第2導電型の第2のクラッド層と、レーザー発振を行わせるために流される電流の通路を制限するための電流狭窄層とを具備する半導体レーザーにおいて、上記第2のクラッド層にメサ部が設けられ、上記メサ部の周囲における少なくとも上記活性層を含む部分にレーザー光に対して透明な窓が設けられているとともに、上記窓の上に上記電流狭窄層が設けられていることを特徴とする半導体レーザー。
引用特許：
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